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| Nombre | GAUDENCIO PAZ MARTINEZ |
|---|---|
| Área | FÍSICO-MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA |
| Campo | FÍSICA |
| Disciplina | ELECTRÓNICA |
| Especialidad | OTRAS |
| CVU | 257532 |
| Institución |
SIN INSTITUCIÓN
|
|---|---|
| Dependencia | NO APLICA |
| Entidad | NO APLICA |
| Nivel | 1 |
| Vigencia | Inicio: 01/01/2023 |
| Fin: 31/12/2027 |
Publicaciones ORCID
- 2026
- Physical analysis of barrier-inhomogeneity effects on the electrical parameters of GaN Schottky barrier diodes Journal of Physics D: Applied Physics
- 2024
- Reverse-bias current hysteresis at low temperature in GaN Schottky barrier diodes Journal of Applied Physics
- A Closed-Form Expression for the Frequency-Dependent Microwave Responsivity of Transistors Based on the I–V Curve and S-Parameters IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
- Analysis of the THz Responsivity of AlGaN/GaN HEMTs by Means of Monte Carlo Simulations IEEE Transactions on Electron Devices
- High-Frequency Microwave Detection With GaN HEMTs in the Subthreshold Regime IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
- Multiport Square Law Detectors: Responsivity Matrix Model and Direct Determination of the Optimum Injection Regime IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
- Reverse Leakage Current Hysteresis in GaN Schottky Barrier Diodes Interpreted in Terms of a Trap Energy Band IEEE Transactions on Electron Devices
- 2023
- Responsivity Measurements up to 110 GHz Using AlGaN/GaN HEMTs with Different Gate Size 2023 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMIC)
- Current and voltage responsivity up to 110 GHz in GaN asymmetric nano-diodes Applied Physics Letters
- Low temperature memory effects in AlGaN/GaN nanochannels Applied Physics Letters
